onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NRVBS410LT3G 10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V

NRVBS410LT3G

10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V
Číslo dílu
NRVBS410LT3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMC (DO-214AB)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system. Typical applications are AC-DC and DC-DC, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 99224 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NRVBS410LT3G
NRVBS410LT3G Elektronické komponenty
NRVBS410LT3G Odbyt
NRVBS410LT3G Dodavatel
NRVBS410LT3G Distributor
NRVBS410LT3G Datová tabulka
NRVBS410LT3G Fotky
NRVBS410LT3G Cena
NRVBS410LT3G Nabídka
NRVBS410LT3G Nejnižší cena
NRVBS410LT3G Vyhledávání
NRVBS410LT3G Nákup
NRVBS410LT3G Chip