onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NRVBS3200T3G 200V 3A 840mV@3A Schottky diodePower rectifier, 3.0 A, 200 V

NRVBS3200T3G

200V 3A 840mV@3A Schottky diodePower rectifier, 3.0 A, 200 V
Číslo dílu
NRVBS3200T3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMB (DO-214AA)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 88609 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NRVBS3200T3G
NRVBS3200T3G Elektronické komponenty
NRVBS3200T3G Odbyt
NRVBS3200T3G Dodavatel
NRVBS3200T3G Distributor
NRVBS3200T3G Datová tabulka
NRVBS3200T3G Fotky
NRVBS3200T3G Cena
NRVBS3200T3G Nabídka
NRVBS3200T3G Nejnižší cena
NRVBS3200T3G Vyhledávání
NRVBS3200T3G Nákup
NRVBS3200T3G Chip