onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NRVBS260T3G-VF01 60V 2A 630mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 60 V, SMB encapsulation

NRVBS260T3G-VF01

60V 2A 630mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 60 V, SMB encapsulation
Číslo dílu
NRVBS260T3G-VF01
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMB (DO-214AA)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 82795 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NRVBS260T3G-VF01
NRVBS260T3G-VF01 Elektronické komponenty
NRVBS260T3G-VF01 Odbyt
NRVBS260T3G-VF01 Dodavatel
NRVBS260T3G-VF01 Distributor
NRVBS260T3G-VF01 Datová tabulka
NRVBS260T3G-VF01 Fotky
NRVBS260T3G-VF01 Cena
NRVBS260T3G-VF01 Nabídka
NRVBS260T3G-VF01 Nejnižší cena
NRVBS260T3G-VF01 Vyhledávání
NRVBS260T3G-VF01 Nákup
NRVBS260T3G-VF01 Chip