onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NRVBA1H100T3G
100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V
Číslo dílu
NRVBA1H100T3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA (DO-214AC)
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51972 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
30V 500mA 430mV@500mA 500 mA, 30 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount
onsemi (Ansemi)
30V 500mA 430mV@500mA 500 mA, 30 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount
onsemi (Ansemi)
40V 500mA 510mV@500mA 500 mA, 40 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount
onsemi (Ansemi)
40V 500mA 620mV@1A 500 mA, 40 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NRVBA1H100T3G
NRVBA1H100T3G Elektronické komponenty
NRVBA1H100T3G Odbyt
NRVBA1H100T3G Dodavatel
NRVBA1H100T3G Distributor
NRVBA1H100T3G Datová tabulka
NRVBA1H100T3G Fotky
NRVBA1H100T3G Cena
NRVBA1H100T3G Nabídka
NRVBA1H100T3G Nejnižší cena
NRVBA1H100T3G Vyhledávání
NRVBA1H100T3G Nákup
NRVBA1H100T3G Chip