onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NCV57001FDWR2G Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation

NCV57001FDWR2G

Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation
Číslo dílu
NCV57001FDWR2G
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOIC-16-300mil
Balení
taping
Počet balíků
1000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 91226 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G Elektronické komponenty
NCV57001FDWR2G Odbyt
NCV57001FDWR2G Dodavatel
NCV57001FDWR2G Distributor
NCV57001FDWR2G Datová tabulka
NCV57001FDWR2G Fotky
NCV57001FDWR2G Cena
NCV57001FDWR2G Nabídka
NCV57001FDWR2G Nejnižší cena
NCV57001FDWR2G Vyhledávání
NCV57001FDWR2G Nákup
NCV57001FDWR2G Chip