Koupit onsemi (Ansemi) NCV1413BDR2G Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

NCV1413BDR2G

Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current

Číslo dílu

NCV1413BDR2G

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Transistor Array

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SOIC-16

Balení

taping

Počet balíků

2500

Popis

The seven NPN Darlington junction transistors in these arrays are ideal for driving lamps, relays or printing hammers in a variety of industrial and consumer applications. Its high breakdown voltage and internal suppression diodes ensure that inductive loads will not be a problem. The peak inrush current of up to 500 mA enables it to drive incandescent lamps. The MC1413, B with 2.7 kΩ series input resistors is suitable for systems using 5.0 V TTL or CMOS logic.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 51428 PCS

Kontaktní informace