onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MUN2212T1G 1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

MUN2212T1G

1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
MUN2212T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-59
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistors and base-emitter resistors. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 56640 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MUN2212T1G
MUN2212T1G Elektronické komponenty
MUN2212T1G Odbyt
MUN2212T1G Dodavatel
MUN2212T1G Distributor
MUN2212T1G Datová tabulka
MUN2212T1G Fotky
MUN2212T1G Cena
MUN2212T1G Nabídka
MUN2212T1G Nejnižší cena
MUN2212T1G Vyhledávání
MUN2212T1G Nákup
MUN2212T1G Chip