MASPOWER
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MS10N120HGT1
1200V 10A ultra high voltage MOS tube high voltage MOSFET
Číslo dílu
MS10N120HGT1
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
MASPOWER
Encapsulation
TO-220F
Balení
boxed
Počet balíků
1000
Popis
Drain-source voltage (Vdss): 1200V Continuous drain current (Id): 10A 1200V 10A High voltage MOS tube Ultra high voltage MOSFET
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 97956 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
10MHz to 80MHz 10:1 LVDS Parallel to Serial Converter (Serializer) / Serial to Parallel Converter (Deserializer)
Hangzhou Ruimeng
Klíčová slova MS10N120HGT1
MS10N120HGT1 Elektronické komponenty
MS10N120HGT1 Odbyt
MS10N120HGT1 Dodavatel
MS10N120HGT1 Distributor
MS10N120HGT1 Datová tabulka
MS10N120HGT1 Fotky
MS10N120HGT1 Cena
MS10N120HGT1 Nabídka
MS10N120HGT1 Nejnižší cena
MS10N120HGT1 Vyhledávání
MS10N120HGT1 Nákup
MS10N120HGT1 Chip