onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMUN2211LT3G 1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

MMUN2211LT3G

1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
MMUN2211LT3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a transistor and a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce both system cost and board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 58157 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MMUN2211LT3G
MMUN2211LT3G Elektronické komponenty
MMUN2211LT3G Odbyt
MMUN2211LT3G Dodavatel
MMUN2211LT3G Distributor
MMUN2211LT3G Datová tabulka
MMUN2211LT3G Fotky
MMUN2211LT3G Cena
MMUN2211LT3G Nabídka
MMUN2211LT3G Nejnižší cena
MMUN2211LT3G Vyhledávání
MMUN2211LT3G Nákup
MMUN2211LT3G Chip