MSKSEMI (Mesenco)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMDT3906 2 PNP 40V 200mA 100-300 K3N

MMDT3906

2 PNP 40V 200mA 100-300 K3N
Číslo dílu
MMDT3906
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulation
SOT-363
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Transistor type: 2 PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 40V Collector current (Ic): 200mA Power (Pd): 200mW Collector cut-off current (Icbo): 50nA Collector-emitter saturation voltage (VCE( sat)@Ic,Ib): 300mV@50mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA, 1V Characteristic frequency (fT): 250MHz Operating temperature: +150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 71015 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MMDT3906
MMDT3906 Elektronické komponenty
MMDT3906 Odbyt
MMDT3906 Dodavatel
MMDT3906 Distributor
MMDT3906 Datová tabulka
MMDT3906 Fotky
MMDT3906 Cena
MMDT3906 Nabídka
MMDT3906 Nejnižší cena
MMDT3906 Vyhledávání
MMDT3906 Nákup
MMDT3906 Chip