onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBT8099LT1G NPN 80V 500mA NPN Bipolar Transistor

MMBT8099LT1G

NPN 80V 500mA NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
MMBT8099LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This NPN bipolar transistor is suitable for linear and switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 65751 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1G Elektronické komponenty
MMBT8099LT1G Odbyt
MMBT8099LT1G Dodavatel
MMBT8099LT1G Distributor
MMBT8099LT1G Datová tabulka
MMBT8099LT1G Fotky
MMBT8099LT1G Cena
MMBT8099LT1G Nabídka
MMBT8099LT1G Nejnižší cena
MMBT8099LT1G Vyhledávání
MMBT8099LT1G Nákup
MMBT8099LT1G Chip