onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBT5551M3T5G
NPN 160V 60mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
MMBT5551M3T5G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-723
Balení
taping
Počet balíků
8000
Popis
This high voltage NPN bipolar transistor is a spin-off of our popular SOT-23 3-lead device. The device is suitable for general switching applications and comes in a SOT-723 surface mount encapsulation. The device is suitable for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 58849 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G Elektronické komponenty
MMBT5551M3T5G Odbyt
MMBT5551M3T5G Dodavatel
MMBT5551M3T5G Distributor
MMBT5551M3T5G Datová tabulka
MMBT5551M3T5G Fotky
MMBT5551M3T5G Cena
MMBT5551M3T5G Nabídka
MMBT5551M3T5G Nejnižší cena
MMBT5551M3T5G Vyhledávání
MMBT5551M3T5G Nákup
MMBT5551M3T5G Chip