onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBT5550LT3G
NPN 140V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
MMBT5550LT3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
This high voltage NPN bipolar transistor is suitable for general switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 93392 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMBT5550LT3G
MMBT5550LT3G Elektronické komponenty
MMBT5550LT3G Odbyt
MMBT5550LT3G Dodavatel
MMBT5550LT3G Distributor
MMBT5550LT3G Datová tabulka
MMBT5550LT3G Fotky
MMBT5550LT3G Cena
MMBT5550LT3G Nabídka
MMBT5550LT3G Nejnižší cena
MMBT5550LT3G Vyhledávání
MMBT5550LT3G Nákup
MMBT5550LT3G Chip