onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBT5088LT1G NPN 30V 50mA NPN Bipolar Transistor

MMBT5088LT1G

NPN 30V 50mA NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
MMBT5088LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This NPN bipolar transistor is suitable for high gain, low noise general purpose amplifier applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 66206 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MMBT5088LT1G
MMBT5088LT1G Elektronické komponenty
MMBT5088LT1G Odbyt
MMBT5088LT1G Dodavatel
MMBT5088LT1G Distributor
MMBT5088LT1G Datová tabulka
MMBT5088LT1G Fotky
MMBT5088LT1G Cena
MMBT5088LT1G Nabídka
MMBT5088LT1G Nejnižší cena
MMBT5088LT1G Vyhledávání
MMBT5088LT1G Nákup
MMBT5088LT1G Chip