onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MJD122-1G NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor

MJD122-1G

NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
MJD122-1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
Tube
Počet balíků
75
Popis
This Darlington bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. The MJD122 (NPN) and MJD127 (PNP) are complementary devices.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51650 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MJD122-1G
MJD122-1G Elektronické komponenty
MJD122-1G Odbyt
MJD122-1G Dodavatel
MJD122-1G Distributor
MJD122-1G Datová tabulka
MJD122-1G Fotky
MJD122-1G Cena
MJD122-1G Nabídka
MJD122-1G Nejnižší cena
MJD122-1G Vyhledávání
MJD122-1G Nákup
MJD122-1G Chip