onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRD835LT4G 35V 8A 510mV@8A Schottky diode Barrier rectifier, 35 V, 8.0 A

MBRD835LT4G

35V 8A 510mV@8A Schottky diode Barrier rectifier, 35 V, 8.0 A
Číslo dílu
MBRD835LT4G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252-2(DPAK)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This Schottky diode uses a patented barrier metal and is suitable for output, freewheeling, protection and steering diodes, switching power supplies, inverters and other inductive switching circuits.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60796 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBRD835LT4G
MBRD835LT4G Elektronické komponenty
MBRD835LT4G Odbyt
MBRD835LT4G Dodavatel
MBRD835LT4G Distributor
MBRD835LT4G Datová tabulka
MBRD835LT4G Fotky
MBRD835LT4G Cena
MBRD835LT4G Nabídka
MBRD835LT4G Nejnižší cena
MBRD835LT4G Vyhledávání
MBRD835LT4G Nákup
MBRD835LT4G Chip