Koupit onsemi (Ansemi) MBRB8H100T4G 100V 8A 710mV@8A Schottky diode Barrier rectifier, 100 V, 8.0 A

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

MBRB8H100T4G

100V 8A 710mV@8A Schottky diode Barrier rectifier, 100 V, 8.0 A

Číslo dílu

MBRB8H100T4G

Kategorie

diode > Schottky diode

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

TO-263

Balení

taping

Počet balíků

800

Popis

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 84300 PCS

Kontaktní informace