onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRAF440T3G 40V 4A 485mV@4A 4.0 A, 40 V Schottky diode

MBRAF440T3G

40V 4A 485mV@4A 4.0 A, 40 V Schottky diode
Číslo dílu
MBRAF440T3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMA-FL
Balení
taping
Počet balíků
5000
Popis
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 88176 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBRAF440T3G
MBRAF440T3G Elektronické komponenty
MBRAF440T3G Odbyt
MBRAF440T3G Dodavatel
MBRAF440T3G Distributor
MBRAF440T3G Datová tabulka
MBRAF440T3G Fotky
MBRAF440T3G Cena
MBRAF440T3G Nabídka
MBRAF440T3G Nejnižší cena
MBRAF440T3G Vyhledávání
MBRAF440T3G Nákup
MBRAF440T3G Chip