onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR2H200SFT3G 200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V

MBR2H200SFT3G

200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V
Číslo dílu
MBR2H200SFT3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-123FL
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Ideal for applications employing freewheeling and polarity protected diodes where compact size and weight are critical to the system. Due to its small size, it is suitable for cellular and cordless phones, chargers, notebook computers and printers. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 66223 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR2H200SFT3G
MBR2H200SFT3G Elektronické komponenty
MBR2H200SFT3G Odbyt
MBR2H200SFT3G Dodavatel
MBR2H200SFT3G Distributor
MBR2H200SFT3G Datová tabulka
MBR2H200SFT3G Fotky
MBR2H200SFT3G Cena
MBR2H200SFT3G Nabídka
MBR2H200SFT3G Nejnižší cena
MBR2H200SFT3G Vyhledávání
MBR2H200SFT3G Nákup
MBR2H200SFT3G Chip