onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR2H200SFT1G 200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V

MBR2H200SFT1G

200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V
Číslo dílu
MBR2H200SFT1G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-123
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Ideal for applications employing freewheeling and polarity protected diodes where compact size and weight are critical to the system. Due to its small size, it is suitable for cellular and cordless phones, chargers, notebook computers and printers. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 59081 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR2H200SFT1G
MBR2H200SFT1G Elektronické komponenty
MBR2H200SFT1G Odbyt
MBR2H200SFT1G Dodavatel
MBR2H200SFT1G Distributor
MBR2H200SFT1G Datová tabulka
MBR2H200SFT1G Fotky
MBR2H200SFT1G Cena
MBR2H200SFT1G Nabídka
MBR2H200SFT1G Nejnižší cena
MBR2H200SFT1G Vyhledávání
MBR2H200SFT1G Nákup
MBR2H200SFT1G Chip