onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR1H100SFT3G 100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V

MBR1H100SFT3G

100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V
Číslo dílu
MBR1H100SFT3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-123F
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50043 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR1H100SFT3G
MBR1H100SFT3G Elektronické komponenty
MBR1H100SFT3G Odbyt
MBR1H100SFT3G Dodavatel
MBR1H100SFT3G Distributor
MBR1H100SFT3G Datová tabulka
MBR1H100SFT3G Fotky
MBR1H100SFT3G Cena
MBR1H100SFT3G Nabídka
MBR1H100SFT3G Nejnižší cena
MBR1H100SFT3G Vyhledávání
MBR1H100SFT3G Nákup
MBR1H100SFT3G Chip