onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR160G 60V 1A 750mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 60 V, 1.0 A

MBR160G

60V 1A 750mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 60 V, 1.0 A
Číslo dílu
MBR160G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DO-204AL
Balení
bagged
Počet balíků
1000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 99218 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR160G
MBR160G Elektronické komponenty
MBR160G Odbyt
MBR160G Dodavatel
MBR160G Distributor
MBR160G Datová tabulka
MBR160G Fotky
MBR160G Cena
MBR160G Nabídka
MBR160G Nejnižší cena
MBR160G Vyhledávání
MBR160G Nákup
MBR160G Chip