onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR120LSFT1G 20V 1A 650mV@3A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V

MBR120LSFT1G

20V 1A 650mV@3A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
Číslo dílu
MBR120LSFT1G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-123FL
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Using the Schottky diode potential barrier principle, a large area metal-silicon power diode is used. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64837 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR120LSFT1G
MBR120LSFT1G Elektronické komponenty
MBR120LSFT1G Odbyt
MBR120LSFT1G Dodavatel
MBR120LSFT1G Distributor
MBR120LSFT1G Datová tabulka
MBR120LSFT1G Fotky
MBR120LSFT1G Cena
MBR120LSFT1G Nabídka
MBR120LSFT1G Nejnižší cena
MBR120LSFT1G Vyhledávání
MBR120LSFT1G Nákup
MBR120LSFT1G Chip