VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD50N06S4L-12-VB
IPD50N06S4L-12-VB
Číslo dílu
IPD50N06S4L-12-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
N-channel, 60V, 60A, RDS(ON), 9mΩ@10V, 11mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.87Vth(V); TO252
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 94403 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD50N06S4L-12-VB
IPD50N06S4L-12-VB Elektronické komponenty
IPD50N06S4L-12-VB Odbyt
IPD50N06S4L-12-VB Dodavatel
IPD50N06S4L-12-VB Distributor
IPD50N06S4L-12-VB Datová tabulka
IPD50N06S4L-12-VB Fotky
IPD50N06S4L-12-VB Cena
IPD50N06S4L-12-VB Nabídka
IPD50N06S4L-12-VB Nejnižší cena
IPD50N06S4L-12-VB Vyhledávání
IPD50N06S4L-12-VB Nákup
IPD50N06S4L-12-VB Chip