VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD35N10S3L-26-VB
IPD35N10S3L-26-VB
Číslo dílu
IPD35N10S3L-26-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
N-channel, 100V, 40A, RDS(ON), 30mΩ@10V, 31mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.8Vth(V); TO252
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 85446 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD35N10S3L-26-VB
IPD35N10S3L-26-VB Elektronické komponenty
IPD35N10S3L-26-VB Odbyt
IPD35N10S3L-26-VB Dodavatel
IPD35N10S3L-26-VB Distributor
IPD35N10S3L-26-VB Datová tabulka
IPD35N10S3L-26-VB Fotky
IPD35N10S3L-26-VB Cena
IPD35N10S3L-26-VB Nabídka
IPD35N10S3L-26-VB Nejnižší cena
IPD35N10S3L-26-VB Vyhledávání
IPD35N10S3L-26-VB Nákup
IPD35N10S3L-26-VB Chip