Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF6N80CT
Power MOSFET, N-Channel, QFET, 800 V, 5.5 A, 2.5 ?
Číslo dílu
FQPF6N80CT
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-220F-3
Balení
Tube
Počet balíků
1000
Popis
This N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET is produced using ON Semiconductor's planar stripe and DMOS proprietary processes. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.