The FOD819 includes a gallium arsenide (GaAs) infrared emitting diode within a 4-pin dual inline plug-inencapsulation driving a silicon photo-darlington output with an integrated base emitter resistor RBE. It is suitable as a higher performance replacement for the popular FOD817 series when higher speed performance is required in isolated data signal transmission.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.