onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FOD817B3SD DC input Isolation voltage (rms): 5000V Phototransistor optocoupler

FOD817B3SD

DC input Isolation voltage (rms): 5000V Phototransistor optocoupler
Číslo dílu
FOD817B3SD
Kategorie
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMD-4P
Balení
taping
Počet balíků
1000
Popis
The FOD814 consists of two Gallium Arsenide infrared emitting diodes in a 4-pin dual-wire encapsulation, connected in anti-parallel, driving a silicon phototransistor output. The FOD817 series includes a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode driving a Silicon Phototransistor within a 4-pin 2-in-line encapsulation.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 65770 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FOD817B3SD
FOD817B3SD Elektronické komponenty
FOD817B3SD Odbyt
FOD817B3SD Dodavatel
FOD817B3SD Distributor
FOD817B3SD Datová tabulka
FOD817B3SD Fotky
FOD817B3SD Cena
FOD817B3SD Nabídka
FOD817B3SD Nejnižší cena
FOD817B3SD Vyhledávání
FOD817B3SD Nákup
FOD817B3SD Chip