onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS86200DC
N-Channel Dual CoolTM 56 Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 40A, 17mΩ
Číslo dílu
FDMS86200DC
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PDFN-8(5.2x6.2)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. The combination of advances in silicon and Dual Cool encapsulation technology provides the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance with very low junction-to-ambient thermal resistance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 84921 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS86200DC
FDMS86200DC Elektronické komponenty
FDMS86200DC Odbyt
FDMS86200DC Dodavatel
FDMS86200DC Distributor
FDMS86200DC Datová tabulka
FDMS86200DC Fotky
FDMS86200DC Cena
FDMS86200DC Nabídka
FDMS86200DC Nejnižší cena
FDMS86200DC Vyhledávání
FDMS86200DC Nákup
FDMS86200DC Chip