onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS86200
N-Channel 150V 9.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 35A, 18mΩ
Číslo dílu
FDMS86200
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PDFN-8(4.9x5.8)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process, which is specially adapted to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 55803 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS86200
FDMS86200 Elektronické komponenty
FDMS86200 Odbyt
FDMS86200 Dodavatel
FDMS86200 Distributor
FDMS86200 Datová tabulka
FDMS86200 Fotky
FDMS86200 Cena
FDMS86200 Nabídka
FDMS86200 Nejnižší cena
FDMS86200 Vyhledávání
FDMS86200 Nákup
FDMS86200 Chip