onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS86183
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 51 A, 12.8 mΩ
Číslo dílu
FDMS86183
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
Power-56-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MV MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. The process is optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance using the industry's best soft body diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 63858 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS86183
FDMS86183 Elektronické komponenty
FDMS86183 Odbyt
FDMS86183 Dodavatel
FDMS86183 Distributor
FDMS86183 Datová tabulka
FDMS86183 Fotky
FDMS86183 Cena
FDMS86183 Nabídka
FDMS86183 Nejnižší cena
FDMS86183 Vyhledávání
FDMS86183 Nákup
FDMS86183 Chip