onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS86150ET100
N-Channel 100V 128A N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 128A, 4.85mΩ
Číslo dílu
FDMS86150ET100
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
Power-56-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process is optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 77993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS86150ET100
FDMS86150ET100 Elektronické komponenty
FDMS86150ET100 Odbyt
FDMS86150ET100 Dodavatel
FDMS86150ET100 Distributor
FDMS86150ET100 Datová tabulka
FDMS86150ET100 Fotky
FDMS86150ET100 Cena
FDMS86150ET100 Nabídka
FDMS86150ET100 Nejnižší cena
FDMS86150ET100 Vyhledávání
FDMS86150ET100 Nákup
FDMS86150ET100 Chip