onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS6673BZ
P-Channel 30V 82A P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -82A, 6.8mΩ
Číslo dílu
FDMS6673BZ
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
Power-56-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
The FDMS6673BZ is suitable for minimizing losses in load switching applications. At the same time, it combines the development and progress of silicon and encapsulation technology to provide the lowest RDS(on) and ESD protection.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74058 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS6673BZ
FDMS6673BZ Elektronické komponenty
FDMS6673BZ Odbyt
FDMS6673BZ Dodavatel
FDMS6673BZ Distributor
FDMS6673BZ Datová tabulka
FDMS6673BZ Fotky
FDMS6673BZ Cena
FDMS6673BZ Nabídka
FDMS6673BZ Nejnižší cena
FDMS6673BZ Vyhledávání
FDMS6673BZ Nákup
FDMS6673BZ Chip