onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS4D0N12C
N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 120V, 118A, 4.0mΩ
Číslo dílu
FDMS4D0N12C
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PDFN-8(5.2x6.2)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MV MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance with the industry's best soft body diode.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 90466 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C Elektronické komponenty
FDMS4D0N12C Odbyt
FDMS4D0N12C Dodavatel
FDMS4D0N12C Distributor
FDMS4D0N12C Datová tabulka
FDMS4D0N12C Fotky
FDMS4D0N12C Cena
FDMS4D0N12C Nabídka
FDMS4D0N12C Nejnižší cena
FDMS4D0N12C Vyhledávání
FDMS4D0N12C Nákup
FDMS4D0N12C Chip