onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS3669S
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench Power Stage MOSFET 30V
Číslo dílu
FDMS3669S
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
Power-56-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
The device contains two dedicated N-channel MOSFETs with dual PQFN encapsulation. The switching nodes are already connected internally to allow easy placement and routing of the synchronous buck converter. The control MOSFET (Q1) and synchronization SyncFET (Q2) provide the best power efficiency.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 87295 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS3669S
FDMS3669S Elektronické komponenty
FDMS3669S Odbyt
FDMS3669S Dodavatel
FDMS3669S Distributor
FDMS3669S Datová tabulka
FDMS3669S Fotky
FDMS3669S Cena
FDMS3669S Nabídka
FDMS3669S Nejnižší cena
FDMS3669S Vyhledávání
FDMS3669S Nákup
FDMS3669S Chip