onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS3606S
Asymmetric Dual N-Channel, PowerTrench Power Stage MOSFETs, 30V
Číslo dílu
FDMS3606S
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
Power-56-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
The device includes two custom N-channel MOSFETs in a dual PQFN encapsulation. The switch nodes are already interconnected for easy placement and routing of the synchronous buck converter. The control MOSFET (Q1) and synchronization SyncFET (Q2) provide the best power efficiency.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 88950 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS3606S
FDMS3606S Elektronické komponenty
FDMS3606S Odbyt
FDMS3606S Dodavatel
FDMS3606S Distributor
FDMS3606S Datová tabulka
FDMS3606S Fotky
FDMS3606S Cena
FDMS3606S Nabídka
FDMS3606S Nejnižší cena
FDMS3606S Vyhledávání
FDMS3606S Nákup
FDMS3606S Chip