onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMS3572
N-Channel 80V 22A N-Channel, UltraFET Trench MOSFET, 80V, 22A, 16.5mΩ
Číslo dílu
FDMS3572
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
Power-56-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
UItraFET devices combine features to deliver benchmark energy efficiency in power conversion applications. These devices are optimized for rDS(on), low ESR, low total charge and Miller gate charge for high frequency DC/DC converters.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 79500 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMS3572
FDMS3572 Elektronické komponenty
FDMS3572 Odbyt
FDMS3572 Dodavatel
FDMS3572 Distributor
FDMS3572 Datová tabulka
FDMS3572 Fotky
FDMS3572 Cena
FDMS3572 Nabídka
FDMS3572 Nejnižší cena
FDMS3572 Vyhledávání
FDMS3572 Nákup
FDMS3572 Chip