onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMC86261P
P-Channel 150V 9A P-Channel, Power Trench MOSFET, -150V, -9A, 160mΩ
Číslo dílu
FDMC86261P
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TSDSON-8(3.3x3.3)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This P-channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench technology. This very high-density process is uniquely suited to minimize on-resistance and is optimized for excellent switching performance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 84233 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMC86261P
FDMC86261P Elektronické komponenty
FDMC86261P Odbyt
FDMC86261P Dodavatel
FDMC86261P Distributor
FDMC86261P Datová tabulka
FDMC86261P Fotky
FDMC86261P Cena
FDMC86261P Nabídka
FDMC86261P Nejnižší cena
FDMC86261P Vyhledávání
FDMC86261P Nákup
FDMC86261P Chip