onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMC86160ET100
N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 100 V, 43A, 14mΩ
Číslo dílu
FDMC86160ET100
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PQFN-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process is optimized for low on-resistance. This device is ideal for applications requiring ultra-low rDS(on) in a small space, such as high-performance VRM, POL, and Oring functions.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 57979 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMC86160ET100
FDMC86160ET100 Elektronické komponenty
FDMC86160ET100 Odbyt
FDMC86160ET100 Dodavatel
FDMC86160ET100 Distributor
FDMC86160ET100 Datová tabulka
FDMC86160ET100 Fotky
FDMC86160ET100 Cena
FDMC86160ET100 Nabídka
FDMC86160ET100 Nejnižší cena
FDMC86160ET100 Vyhledávání
FDMC86160ET100 Nákup
FDMC86160ET100 Chip