onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMC8360L
N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40V, 80A, 2.1mΩ
Číslo dílu
FDMC8360L
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PQFN-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process is optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 75765 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMC8360L
FDMC8360L Elektronické komponenty
FDMC8360L Odbyt
FDMC8360L Dodavatel
FDMC8360L Distributor
FDMC8360L Datová tabulka
FDMC8360L Fotky
FDMC8360L Cena
FDMC8360L Nabídka
FDMC8360L Nejnižší cena
FDMC8360L Vyhledávání
FDMC8360L Nákup
FDMC8360L Chip