onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMC4435BZ
P-Channel 30V 8.5A 18A -30V P-Channel Power Trench MOSFET
Číslo dílu
FDMC4435BZ
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
MLP-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This P-channel MOSFET device is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process, which is tailored to minimize on-state resistance. The device is ideal for power management and load switching applications in notebook computers and portable battery packs.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 66019 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMC4435BZ
FDMC4435BZ Elektronické komponenty
FDMC4435BZ Odbyt
FDMC4435BZ Dodavatel
FDMC4435BZ Distributor
FDMC4435BZ Datová tabulka
FDMC4435BZ Fotky
FDMC4435BZ Cena
FDMC4435BZ Nabídka
FDMC4435BZ Nejnižší cena
FDMC4435BZ Vyhledávání
FDMC4435BZ Nákup
FDMC4435BZ Chip