onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMC4435BZ-F126
-30V P-Channel Power Trench MOSFETs
Číslo dílu
FDMC4435BZ-F126
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
WDFN-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This P-channel MOSFET device is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process, which is tailored to minimize on-state resistance. The device is ideal for power management and load switching applications in notebook computers and portable battery packs.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54766 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMC4435BZ-F126
FDMC4435BZ-F126 Elektronické komponenty
FDMC4435BZ-F126 Odbyt
FDMC4435BZ-F126 Dodavatel
FDMC4435BZ-F126 Distributor
FDMC4435BZ-F126 Datová tabulka
FDMC4435BZ-F126 Fotky
FDMC4435BZ-F126 Cena
FDMC4435BZ-F126 Nabídka
FDMC4435BZ-F126 Nejnižší cena
FDMC4435BZ-F126 Vyhledávání
FDMC4435BZ-F126 Nákup
FDMC4435BZ-F126 Chip