onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DTC123JM3T5G 1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

DTC123JM3T5G

1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
DTC123JM3T5G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-723
Balení
taping
Počet balíků
8000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52102 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova DTC123JM3T5G
DTC123JM3T5G Elektronické komponenty
DTC123JM3T5G Odbyt
DTC123JM3T5G Dodavatel
DTC123JM3T5G Distributor
DTC123JM3T5G Datová tabulka
DTC123JM3T5G Fotky
DTC123JM3T5G Cena
DTC123JM3T5G Nabídka
DTC123JM3T5G Nejnižší cena
DTC123JM3T5G Vyhledávání
DTC123JM3T5G Nákup
DTC123JM3T5G Chip