onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DTC123JET1G
1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
DTC123JET1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-75(SOT-523)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 65363 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DTC123JET1G
DTC123JET1G Elektronické komponenty
DTC123JET1G Odbyt
DTC123JET1G Dodavatel
DTC123JET1G Distributor
DTC123JET1G Datová tabulka
DTC123JET1G Fotky
DTC123JET1G Cena
DTC123JET1G Nabídka
DTC123JET1G Nejnižší cena
DTC123JET1G Vyhledávání
DTC123JET1G Nákup
DTC123JET1G Chip