onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DTC114EET1G 1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

DTC114EET1G

1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
DTC114EET1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-75(SOT-523)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a transistor and a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce both system cost and board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 86910 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova DTC114EET1G
DTC114EET1G Elektronické komponenty
DTC114EET1G Odbyt
DTC114EET1G Dodavatel
DTC114EET1G Distributor
DTC114EET1G Datová tabulka
DTC114EET1G Fotky
DTC114EET1G Cena
DTC114EET1G Nabídka
DTC114EET1G Nejnižší cena
DTC114EET1G Vyhledávání
DTC114EET1G Nákup
DTC114EET1G Chip