Koupit HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics) BSS169H6327-HXY N-channel 100V 0.17A

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

BSS169H6327-HXY

N-channel 100V 0.17A

Číslo dílu

BSS169H6327-HXY

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Výrobce/značka

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

Encapsulation

SOT-23

Balení

taping

Počet balíků

3000

Popis

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 170mA Power (Pd): 350mW On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6Ω@ 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 50503 PCS

Kontaktní informace