AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM40P55D P-channel 40V 50A 8.9mΩ

AGM40P55D

P-channel 40V 50A 8.9mΩ
Číslo dílu
AGM40P55D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 55W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.9mΩ @10V,16A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.05nF@20V ,Vds=40V Id=50A Rds=8.9mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 56432 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM40P55D
AGM40P55D Elektronické komponenty
AGM40P55D Odbyt
AGM40P55D Dodavatel
AGM40P55D Distributor
AGM40P55D Datová tabulka
AGM40P55D Fotky
AGM40P55D Cena
AGM40P55D Nabídka
AGM40P55D Nejnižší cena
AGM40P55D Vyhledávání
AGM40P55D Nákup
AGM40P55D Chip