Infineon (Infineon)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
2ED2110S06MXUMA1
Low side High side IGBT MOSFET Sink current 2.5A Source current 2.5A
Číslo dílu
2ED2110S06MXUMA1
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
Infineon (Infineon)
Encapsulation
SOIC-16
Balení
taping
Počet balíků
1000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 79685 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Low side High side IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Low side High side IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Low side High side IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 700mA source current 290mA
Infineon (Infineon)
Klíčová slova 2ED2110S06MXUMA1
2ED2110S06MXUMA1 Elektronické komponenty
2ED2110S06MXUMA1 Odbyt
2ED2110S06MXUMA1 Dodavatel
2ED2110S06MXUMA1 Distributor
2ED2110S06MXUMA1 Datová tabulka
2ED2110S06MXUMA1 Fotky
2ED2110S06MXUMA1 Cena
2ED2110S06MXUMA1 Nabídka
2ED2110S06MXUMA1 Nejnižší cena
2ED2110S06MXUMA1 Vyhledávání
2ED2110S06MXUMA1 Nákup
2ED2110S06MXUMA1 Chip