Koupit onsemi (Ansemi) 1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

Číslo dílu

1N5821G

Kategorie

Diodes > General Purpose Diodes

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

DO-27

Balení

boxed

Počet balíků

500

Popis

The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 87274 PCS

Kontaktní informace