Diode/Bridge Rectifier

Číslo dílu
PINGWEI (Pingwei)
Výrobci
Popis
91052 PCS
Na skladě
Číslo dílu
MCC (Meiweike)
Výrobci
Popis
95220 PCS
Na skladě
Číslo dílu
PINGWEI (Pingwei)
Výrobci
Popis
65772 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Doesshare (Dexin)
Výrobci
Common Anode 30V 200mA 5nS Silicon carbideSOT-23
Popis
54872 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Doesshare (Dexin)
Výrobci
Common Anode 30V 200mA 5nS Silicon carbideSOT-23
Popis
59136 PCS
Na skladě
Číslo dílu
YANGJIE (Yang Jie)
Výrobci
Popis
79538 PCS
Na skladě
Číslo dílu
LRC (Leshan Radio)
Výrobci
600V
Popis
55890 PCS
Na skladě
Číslo dílu
HL (Howlin)
Výrobci
Popis
98126 PCS
Na skladě
Číslo dílu
HL (Howlin)
Výrobci
Popis
79446 PCS
Na skladě
Číslo dílu
JUXING
Výrobci
IF(A) 1 VRRM(V) 600 IFSM(A) 30 VFM@IF(V) 1.7 IRM@VRRM(uA) 5 trr(ns) 35
Popis
95220 PCS
Na skladě
Číslo dílu
LGE (Lu Guang)
Výrobci
Popis
89209 PCS
Na skladě
Číslo dílu
GOODWORK (Good Work)
Výrobci
Popis
62118 PCS
Na skladě
Číslo dílu
VISHAY (Vishay)
Výrobci
Popis
99645 PCS
Na skladě
Číslo dílu
onsemi (Ansemi)
Výrobci
This Schottky diode is suitable for high-speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Very low forward voltage reduces conduction losses. Miniature encapsulation is ideal for handheld and portable applications where space is limited.
Popis
69233 PCS
Na skladě
Číslo dílu
YANGJIE (Yang Jie)
Výrobci
E1KF-F1-0000HF
Popis
57447 PCS
Na skladě
Číslo dílu
ST (STMicroelectronics)
Výrobci
Popis
56350 PCS
Na skladě
Číslo dílu
GD (solid technetium)
Výrobci
Popis
95904 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Agertech (Agertech)
Výrobci
Popis
55884 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Agertech (Agertech)
Výrobci
Popis
51567 PCS
Na skladě
Číslo dílu
onsemi (Ansemi)
Výrobci
The ISL9R3060G2 is a STEALTH diode with low loss performance in high frequency hard switching applications. The STEALTH series features low reverse recovery current (IRR) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is suitable for use as a freewheeling or boosting diode in power supplies and other power switching applications. Low IRR and short ta phase reduce switching transistor losses. Soft recovery minimizes ringing, extending the range of conditions under which the diode can be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using STEALTH diodes with SMPS IGBTs to provide the most efficient and highest power density design at a lower cost.
Popis
73163 PCS
Na skladě